LA8201 4.0-20 双H桥 1ohm 内置PWM电流钳位控制保护,待机功耗0,过温度保护 SSOP10L
LA8200 4.0-20 双H桥 1ohm 内置PWM电流钳位控制保护,ENA待机功耗0,过温度保护 SSOP10L
LA8100 2.7-16 双H桥 1ohm 待机功耗0,过温度错误指示,UVLO,内部和内外部PWM电流控制模式 TSSOP14L
LA6210 4.5-18 PWM 集成功率管 Anywave相电流驱动,自动超前角,FG,RD等 eTSSOP14L
LA6101 4.5-40 PWM,Analog 驱动4N 可搭配Nano-Bridge EC方案,正弦相电流,自动超前角,FG,RD等 TSSOP20L
LA6100 4.5-40 PWM,Analog 驱动P+N MOS 直驱P+N MOS,正弦相电流,自动超前角,FG,RD等 TSSOP20L
LAS1N0561 Half-Bridge 650V/5A IGBT&FRD BSD,OCP,FO/SD,UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAS1M0761 Half-Bridge 600V/7A FR-MOSFET BSD,OCP,FO/SD,UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAS1M0751 Half-Bridge 500V/7A FR-MOSFET BSD,OCP,FO/SD,UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAS1M0750 Half-Bridge 500V/7A FR-MOSFET UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAS1M0461 Half-Bridge 600V/4A FR-MOSFET BSD,OCP,FO/SD,UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAS1M0450 Half-Bridge 500V/4A FR-MOSFET UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAS1M0261 Half-Bridge 600V/3A FR-MOSFET BSD,OCP,FO/SD,UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAS1M0250 Half-Bridge 500V/2A FR-MOSFET UVLO,DeadTime,TSD LasSOP-10
LAM3N3060 Three-Phase 600V/30A IGBT&FRD DBC-substrate,UVLO,VOT/TSD,OCP,FO DIP25
LAM3N2060 Three-Phase 600V/20A IGBT&FRD DBC-substrate,UVLO,VOT/TSD,OCP,FO DIP25
LAM3N1560 Three-Phase 600V/15A IGBT&FRD DBC-substrate,UVLO,VOT/TSD,OCP,FO DIP25
LAD1M0261 Half-Bridge 600V/2A FR-MOSFET BSD,UVLO,DeadTime,TSD DIP-8
LAD1M0250 Half-Bridge 500V/2A FR-MOSFET UVLO,DeadTime,TSD DIP8
LA7104 Half Bridge 600 210 360 10-20 3.3,5,15 SOP8
苏州市人民路750号42号楼四楼4116室
技术支持热线

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代理产品

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电机驱动产品线

产品概述

晶艺半导体提供大功率和低功率电机驱动器,用于从消费电子到工业,通讯到家电系统的广泛应用。这包括了栅驱动器,MOS智能功率模块,高功率IGBT智能功率模块,直流无刷/步进控制器等系列产品。具备以下关键特性:

基于LASemi的独特的功率封装,功率器件,电路系统架构设计的电机驱动类产品具备体积小,低温升,高可靠性,高效率低噪音算法控制等特性。

Gate Driver

产品型号 拓扑架构 半桥工作耐压(V) IO+(mA) IO-(mA) 芯片工作电源范围(V) 输入逻辑电平(V) 封装

智能功率模块

产品型号 架构 功率管规格 功率器件类型 特色功能 封装

BLDC控制器

产品型号 电压等级(V) 调速方式 驱动功率方式 特色功能 封装

步进马达驱动

产品型号 电压等级(V) 集成功率管 导通电阻(HS+LS) 特色功能 封装

联系地址:苏州市人民路750号42号楼四楼4116室 苏州芯欣微电子有限公司 联系电话:18662567166

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